特許
J-GLOBAL ID：200903060715675267
半導体エピタキシャル結晶ウエハの品質判定方法並びにこれを用いたウエハ製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高野 昌俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-044716
公開番号（公開出願番号）：特開2004-265945
出願日： 2003年02月21日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
要約：
【課題】バッファ構造を有していて電界効果型トランジスタ構造を有する半導体エピタキシャル結晶ウエハのバッファ構造部の結晶品質を非破壊にて評価できるようにすること。【解決手段】エピタキシャル層によるバッファ構造部を有する半導体エピタキシャル結晶ウエハにおける半導体結晶の判別方法であって、バッファ構造部の内蔵電界を変調するためのパルス励起光5Aを半導体エピタキシャル結晶ウエハに照射し、半導体エピタキシャル結晶ウエハからの反射光中の反射率差スペクトルに基づいてバッファ構造の結晶品質に由来する電気輸送特性を予測してバッファ構造部の結晶品質を判定するようにした。バッファ構造部の半導体化合物の由来のフランツケルディッシュ振動から算出される電界強度に基づいて判定してもよい。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
エピタキシャル層からなるバッファ構造部を有し且つ電界効果型トランジスタ構造を有する半導体エピタキシャル結晶ウエハの品質判定方法であって、
前記バッファ構造部の内蔵電界を変調するための励起光を前記半導体エピタキシャル結晶ウエハに照射し、
前記半導体エピタキシャル結晶ウエハからのフォトリフレクタンススペクトルに基づいて該半導体エピタキシャル結晶ウエハを用いて作製される電界効果型トランジスタの電気輸送特性を予測する
ことを特徴とする半導体エピタキシャル結晶ウエハの品質判定方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L21/66 V
, H01L21/66 N
4M106AA01
, 4M106AA10
, 4M106BA04
, 4M106BA05
, 4M106BA20
, 4M106CA02
, 4M106CA04
, 4M106CB19
, 4M106CB30
, 4M106DH11
