特許

J-GLOBAL ID：200903060718388480

化合物半導体薄膜の製造方法および光電変換素子の製造方法

発明者： 尾村 邦嘉 ,  花房 彰 ,  渋谷 聡 ,  近藤 繁雄
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-118167
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316247
出願日： 1995年05月17日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】 有機カドミウム錯体を用いてCdS薄膜を作製する製造方法と、このCdS薄膜を用いたCdS/CdTe太陽電池素子を製造する方法を提供するものである。【構成】 空気中または不活性ガス雰囲気下で有機カドミウム錯体蒸気を発生させ、有機カドミウム錯体蒸気中に設置したガラス基板表面で有機カドミウム錯体を熱分解反応させることにより、ガラス基板表面にCdS膜を生成させる。このようにして作製したCdS膜上にCdTe膜を形成させることによりCdS/CdTe太陽電池を形成する。

請求項（抜粋）：

少なくとも硫黄、窒素、炭素、カドミウム原子を含んでなる有機イオウカドミウム錯体の蒸気を発生させ、この錯体蒸気中に設置した基板表面で前記錯体を熱分解させ、前記基板表面にCdS薄膜を生成させることを特徴とする化合物半導体薄膜の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/365 ,  H01L 31/04 ,  H01L 31/0248

FI (3件)：

H01L 21/365 ,  H01L 31/04 E ,  H01L 31/08 K