特許
J-GLOBAL ID：200903060721558477
半導体薄膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-267465
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109630
出願日： 1991年10月16日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：
【要約】【目的】 大面積のSi基板上に、結晶欠陥が無いかまたは従来より少なく、不純物濃度分布および膜厚が均一のSi-Ge系半導体薄膜を形成する。【構成】 シリコン基板15を水素ガス雰囲気の反応炉に入れ減圧下で基板15に赤外線を照射して自然酸化膜61を除去する。反応炉内をSiH<SB>4 </SB>及びGeH<SB>4 </SB>の混合ガス雰囲気とし基板を赤外線で加熱しながら基板上にSi<SB>1-X </SB>Ge<SB>X </SB>薄膜63(0<X≦0.1)を50nm以下の膜厚で成長させる。GeH<SB>4 </SB>の濃度をSi<SB>1-x </SB>Ge<SB>X </SB>薄膜63を形成した際の濃度より高くしかつ基板を赤外線で加熱しながら、Si<SB>1-x </SB>Ge<SB>X </SB>薄膜63上にSi<SB>1-Y </SB>Ge<SB>Y </SB>薄膜65を形成する(ただしX<Y)。
請求項（抜粋）：
反応炉内で、シリコン(Si)の下地上にSi-Ge(ゲルマニウム)系半導体薄膜を形成する方法において、反応炉内をシリコンを含有するIV族水素系ガスとゲルマニウムを含有するIV族水素系ガスとを含む雰囲気としかつ下地を加熱処理しながら、該下地にSi<SB>1-X </SB>Ge<SB>X </SB>薄膜を形成する工程と、ゲルマニウムを含有する前記IV族水素系ガスの前記雰囲気での濃度を前記Si<SB>1-x </SB>Ge<SB>X </SB>薄膜を形成した際の濃度より高くしかつ前記下地を加熱処理しながら、前記Si<SB>1-x </SB>Ge<SB>X </SB>薄膜上にSi<SB>1-Y </SB>Ge<SB>Y </SB>薄膜を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体薄膜の形成方法(ただし、Ge組成比X,Yは、0<X<1,0<Y<1,X<Yを満足する値である。)。
IPC (2件)：
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