特許

J-GLOBAL ID：200903060724739170

半導体ウエハおよびその製造方法ならびに半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 佐藤 友美 ,  清水 博文 ,  鈴木 範夫 ,  斎藤 滋晃 ,  松田 安司 ,  杉野 雄史 ,  田中 利秀
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-050087
公開番号（公開出願番号）：特開平10-247731
出願日： 1997年03月05日
公開日（公表日）： 1998年09月14日
要約：

【要約】【課題】 ゲッタリング能力およびゲート酸化膜特性(GOI)の向上したMISデバイス用エピタキシャルウエハを安価に提供する。【解決手段】 (100)面を主面とし、その面内において[010]方向のいずれか1つの軸から35°の範囲内で、かつ100結晶軸から2.5°〜15°の範囲内の結晶軸と直行するように傾斜させた単結晶シリコンウエハの主面上にエピタキシャル層を成長させることにより、エピタキシャル層の表面(MISFET形成領域)のOSF欠陥が抑制され、重金属などに対するゲッタリング効果が向上する。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキ法によって製造した単結晶シリコンウエハの主面上にエピタキシャル層を成長させた半導体ウエハであって、前記単結晶シリコンウエハの主面を(100)面とし、その面内において[010]方向のいずれか1つの軸から35°の範囲内で、かつ100結晶軸から2.5°〜15°の範囲内の結晶軸と直行するように傾斜させたことを特徴とする半導体ウエハ。

IPC (17件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  C30B 15/36 ,  C30B 25/20 ,  C30B 29/06 502 ,  C30B 29/06 504 ,  C30B 29/06 ,  C30B 31/22 ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/322 ,  H01L 21/8244 ,  H01L 27/11 ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/205

FI (14件)：

H01L 29/78 301 Z ,  C30B 15/36 ,  C30B 25/20 ,  C30B 29/06 502 F ,  C30B 29/06 504 F ,  C30B 29/06 504 K ,  C30B 31/22 ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/322 G ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/10 381 ,  H01L 27/10 681 F