特許

J-GLOBAL ID：200903060727262219

半導体装置およびその製造方法

発明者： 上本 康裕 ,  長野 能久 ,  藤井 英治
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-184944
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114489
出願日： 1999年06月30日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：

【要約】【課題】 信頼性の高いスタックトキャパシタ型の半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体基板1上にアクセストランジスタ2、ビット線6、第1の層間絶縁膜4を形成した後、第1の層間絶縁膜4の所定の領域に設けられたコンタクト穴にアクセストランジスタ2と強誘電体キャパシタ9とを電気的に接続するためのプラグ8を形成する。その後、積層膜からなる下部電極10と、強誘電体膜11と、第1の上部電極14とを順に積層して加工形成する。その後、シリコン酸化膜等からなるサイドウォール用絶縁膜16をウエハ全面に形成した後、サイドウォール用絶縁膜16を全面異方性エッチングすることによりサイドウォール16Sを形成する。次に、Pt等からなる第2の上部電極17を加工形成することにより、強誘電体キャパシタ9を形成する。

請求項（抜粋）：

上部電極および絶縁膜および下部電極からなる容量素子を有する半導体装置において、前記絶縁膜と前記上部電極間に絶縁膜用保護膜を有し、少なくとも前記絶縁膜および前記絶縁膜用保護膜の側部にサイドウォールが設けられている半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 27/10 621 B ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 量子化符号復号方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-134459   出願人：日本電信電話株式会社
• 半導体集積回路装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-137074   出願人：株式会社日立製作所, 日立北海セミコンダクタ株式会社, 日立計測エンジニアリング株式会社, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社