特許
J-GLOBAL ID：200903060729395690
薄膜コンデンサ
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-102679
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299157
出願日： 2001年03月30日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、絶縁保護層の剥離及び誘電体層の接着力低下を防止し、容量発生領域内部への水分の浸入を防止し、信頼性の高い薄膜コンデンサを提供する。【解決手段】本発明は、支持基板1上に、誘電体層2の下面に第1電極層3、第2電極層2を形成し、さらに、絶縁保護層5で被覆し、おのおの電極層3、4に導通するパンプ端子7a、7bを設けた薄膜コンデンサである。そして、前記絶縁保護層5上に、バンプ端子7a、7bの周囲が酸化処理6aを有する金属薄膜6を被覆形成した。
請求項（抜粋）：
支持基板上に、誘電体層の下面に第1電極層を、上面に第2電極層を形成してなる容量発生領域を所定間隔をおいて複数並設するとともに、該容量発生領域のそれぞれの間に、前記第1電極層どうしを接続する複数の第1端子電極層と、前記第2電極層どうしを接続する複数の第2端子電極層とを設けてなり、かつ前記第1端子電極層及び第2端子電極層の一部を露出させて支持基板の略全面に絶縁保護層を被覆形成するとともに、前記露出部にバンプ端子を配置した薄膜コンデンサにおいて、前記絶縁保護層上に、金属薄膜を被着させるとともに、該金属薄膜のうち前記バンプ端子の周囲領域が酸化処理により酸化物となっていることを特徴とする薄膜コンデンサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01G 4/10
, H01G 4/06 102
5E082AA01
, 5E082EE05
, 5E082EE24
, 5E082FF05
, 5E082FG03
, 5E082FG42
