特許
J-GLOBAL ID:200903060730708945
フェースダウンボンディング半導体装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
高橋 敬四郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-218929
公開番号(公開出願番号):特開平10-064956
出願日: 1996年08月20日
公開日(公表日): 1998年03月06日
要約:
【要約】【課題】 高周波半導体ICチップを誘電体回路基板上にフェースダウンボンディングして形成する高周波半導体装置に関し、フェースダウンボンディングでき、十分な支持力を与え、かつ特性の低下を防止することのできるフェースダウンボンディング半導体装置を提供する。【解決手段】 表面に接続端子を有する半導体電気回路を形成した半導体基板と、前記半導体基板表面の接続端子上に配置され、導電体で形成された配線用ピラーと、前記半導体基板表面の接続端子以外の位置に配置され、前記配線用ピラーとほぼ等しい高さを有する支持用ピラーとを有するフェースダウンボンディング半導体装置が提供される。
請求項(抜粋):
表面に接続端子を有する半導体電気・電子回路を形成した半導体基板と、前記半導体基板表面の接続端子上に配置され、導電体で形成された配線用ピラーと、前記半導体基板表面の接続端子以外の位置に配置され、前記配線用ピラーとほぼ等しい高さを有する支持用ピラーとを有するフェースダウンボンディング半導体装置。
IPC (4件):
H01L 21/60 311
, H01L 21/70
, H01L 21/338
, H01L 29/812
FI (3件):
H01L 21/60 311 S
, H01L 21/70
, H01L 29/80 G
引用特許:
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