特許
J-GLOBAL ID:200903060730731629

成膜装置及び方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 井上 義雄 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-089739
公開番号(公開出願番号):特開2000-282228
出願日: 1999年03月30日
公開日(公表日): 2000年10月10日
要約:
【要約】【課題】 安定した成膜が可能であり、特にサブミクロンの溝や穴を有する基板上に均質で高品質の成膜を行うことができる成膜装置及び方法を提供すること。【解決手段】 プラズマガン30からのプラズマビームPBは、ハース51に到達する。ハース51上部のハースライナー53a及び焼結体53bは、プラズマビームPBにより加熱され、焼結体53bに含有された蒸発金属が溶融して表面に浸み出し、焼結体53bから金属の蒸気が安定して出射する。この蒸気は、プラズマビームPBによりイオン化され、負電圧が印加された基板WAの表面に付着し被膜が形成される。この際、焼結体53bの表面から安定した蒸気が出射するので、基板WA上に高アスペクト比の溝あるいは穴が形成されている場合であっても、これに金属を簡易に埋め込むことができ、かかる配線膜の成膜が容易になる。
請求項(抜粋):
プラズマビームを成膜室中に供給するプラズマ源と、蒸発金属を膜材料として含有する焼結体からなる材料蒸発源を備えるとともに、前記成膜室中に配置されて前記材料蒸発源に前記プラズマビームを導くハースと、を備える成膜装置。
FI (2件):
C23C 14/32 H ,  C23C 14/32 A
Fターム (6件):
4K029BA04 ,  4K029BA08 ,  4K029CA03 ,  4K029DB12 ,  4K029DB13 ,  4K029DD05

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