特許
J-GLOBAL ID：200903060735200257
高速ダイナミックランダムアクセスメモリ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
桑井 清一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-359811
公開番号（公開出願番号）：特開平5-182452
出願日： 1991年12月27日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：
【要約】【目的】 本発明の目的はページモードのような高速アクセスの可能な範囲を広げることである。【構成】 外部からアクセスがあると、メモリセルアレイ100〜130から読み出されたデータはセンスアンプ103〜133で差動増幅される。センスアンプ103〜133は新たな行アドレスの指定まで活性状態を保つので、列アドレスの変更のみでデータを順次外部に取り出せる。また、ブロックデコーダ140は外部信号B0,B1でもメモリセルアレイ100〜130の選択を変更できるので、高速アクセス可能なデータは拡大される。
請求項（抜粋）：
行列状に配置されたメモリセルで構成されたメモリセルと、各列に接続されメモリセルから読み出されたデータを伝達するデジット線対と、各デジット線をプリチャージするプリチャージ回路と、センスアンプ活性化線で活性化されデジット線上のデータを差動増幅するセンスアンプと、ゲート制御信号に応答していずれかのセンスアンプで差動増幅されたデータをデータバスに転送するコラムデコーダ/セレクタとを備えたダイナミックランダムアクセスメモリ装置において、上記各センスアンプ活性化線はコラムデコーダ/セレクタを介してデータをデータバスに転送した後新たな行アドレスの指定があるまでセンスアンプを活性状態に維持し、上記新たな行アドレスの指定行上記プリチャージ回路はデジット線をプリチャージすることを特徴とするダイナミックランダムアクセスメモリ装置。
引用特許：
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