特許

J-GLOBAL ID：200903060735634435

パタン形成方法

発明者： 早野 勝也 ,  長谷川 昇雄 ,  今井 彰
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-169930
公開番号（公開出願番号）：特開平11-015133
出願日： 1997年06月26日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：

【要約】【課題】 一方向のみに微細ピッチで配置されたホールパタンの微細化を進めるには、半透明位相シフトマスクと斜入射照明法の併用が有効である。しかしこの場合、周期的に配置されたパタン群の最外周パタンの寸法が小さくなり、パタンが非開孔になる可能性が高く問題であった。【解決手段】 周期的に配置されたパタン群の最外周パタン56にマスクバイアスを加え、周期的に配置されたパタン53、54、55よりも大きなパタンをマスク上に配置する。

請求項（抜粋）：

投影露光装置を用いてホトマスクに形成されたパタンを基板上に転写するパタン形成方法において、前記投影露光装置の照明は斜入射照明であり、前記ホトマスクは、少なくとも露光光に対して半透明な領域と透明な領域を含み、上記半透明な領域は半透明な領域と透明な領域を通過する光の位相差がほぼ180度となるように調整され、かつ主パタンである透明開孔部が周期的に配置されており、前記周期的に配置されたパタン群の最外周パタンの非開孔を防止するために、前記周期的に配置されたパタン群の最外周パタンの設計寸法が他の周期的に配置されたパタンの設計寸法よりも大きくなるよう設計寸法が補正されていることを特徴とするパタン形成方法。

IPC (3件)：

G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 1/08 A ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528

引用特許：

審査官引用 (2件)

• ハーフトーン方式位相シフトマスク及びレジスト露光方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-184086   出願人：ソニー株式会社
• フォトマスクとこのフォトマスクを用いた露光方法及びこのフォトマスクの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-240002   出願人：株式会社東芝