特許
J-GLOBAL ID：200903060742538239

半導体装置製造用マスク

発明者：
竹内 幸一

竹内 幸一 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-325514
公開番号（公開出願番号）：特開平10-161297
出願日： 1996年12月05日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：
【要約】【課題】 設計寸法通りに形成できる露光量が異なるパターンを、同時に設計寸法通りに形成でき、またプロセス条件の変更を容易にできる半導体製造用マスクを提供すること。【解決手段】 透明なマスク基板11の表面に、パターン密度が低いパターン5aとパターン密度が高いパターン5bとを有したパターン原画を、遮光材料となるクロム膜12によって形成し、パターン5aのマスク基板11の裏面に半透明膜15を設ける。パターン5aは、半透明膜15とマスク基板11とを透過する露光量が所定量に減少させられた光によって、ウェーハ17上に投影され、パターン5bは、マスク基板11を透過する光によってウェーハ17上に投影される。
請求項（抜粋）：
半導体装置の製造工程におけるフォトリソグラフィ工程で用いられ、透明なマスク基板の表面に、遮光材料でなる膜によりパターン原画が描かれている半導体装置製造用マスクにおいて、前記マスク基板の裏面に、少なくとも一部分に半透明膜を設け、前記パターン原画が投影されるウェーハに照射する光が、前記半透明膜を透過することによって、前記光の光量を所定の量へと減少させることを特徴とする半導体装置製造用マスク。
IPC (2件)：
G03F 1/08 ,  H01L 21/027
FI (2件)：
G03F 1/08 D ,  H01L 21/30 502 P
引用特許：
審査官引用 (4件)
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