特許

J-GLOBAL ID：200903060746047507

露光装置及び露光方法

発明者： 尾崎 禎彦 ,  丸本 健二 ,  田畑 真毅 ,  苗村 康次 ,  亀谷 均 ,  幸丸 正樹 ,  北山 豊樹
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 田澤 博昭 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-017850
公開番号（公開出願番号）：特開平6-208942
出願日： 1993年01月11日
公開日（公表日）： 1994年07月26日
要約：

【要約】【目的】 露光におけるパターン位置ズレを補正、除去できる、露光装置及びその方法を得る。【構成】 パターン位置ズレを補正、除去するに必要な目標歪量を理論計算、もしくは実測から求め、その歪量をウエハ装着ステージに付設した微小変位手段303,315,3301,4002,4004,4017によって、ウエハ表面に面外方向又は面内方向に歪を生じさせパターン位置ズレを相殺させることにある。よって、半導体デバイス製造のリソグラフィー工程におけるランアウト、さらにはウエハプロセス歪に起因するウエハ変形による転写パターンの位置ズレを補正、除去でき精度の高いパターンを形成できる。

請求項（抜粋）：

X線源からのX線を透過する回路パターンを形成したX線マスクを装着したX線マスク装着ステージと、ウエハに力を付与して所定形状の歪を生じさせる微小変位手段を有するウエハ装着ステージと、ランアウト、ウエハプロセス歪による回路パターンの位置ズレを相殺する歪形状となるように前記微小変位手段を駆動する変位制御信号を生成する変位制御信号生成装置とを備えた露光装置。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 503 ,  G03F 7/20 521

FI (2件)：

H01L 21/30 331 A ,  H01L 21/30 331 E