特許

J-GLOBAL ID：200903060753622606

背面照射型の撮像装置、その撮像装置の製造方法、測定装置、および露光装置

発明者： 成井 禎 ,  赤川 圭一
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 古谷 史旺
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-048805
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231930
出願日： 2001年02月23日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：

【要約】【課題】 半導体基体の製造条件が撮像装置全体の特性ばらつきに与える影響を軽減する構造などを提案し、背面照射型の撮像装置の製造ばらつきを改善する。【解決手段】 第1導電型の半導体基体と、半導体基体の第2面側において信号電荷を画素単位に蓄積する第2導電型の電荷蓄積部と、電荷蓄積部に対向して半導体基体の第1面側に設けられて信号電荷の転送読み出しを行う電荷転送部と、電荷蓄積部に蓄積された信号電荷を電荷転送部へ移送する電荷移送手段と、電荷蓄積部と電荷転送部との間に形成される信号電荷の移送経路の少なくとも一部に設けられ、非電荷移送時には電位障壁の山を生じて信号電荷の移動を遮り、かつ電荷移送時には電荷移送手段によって電位障壁の山が除かれて信号電荷の完全移送を保証するバリア領域とを備えて、背面照射型の撮像装置を構成する。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基体と、前記半導体基体の第1面と反対の第2面側に配列され、前記第2面側から入射するエネルギー線によって発生する信号電荷を画素単位に蓄積する、前記第1導電型とは異なる第2導電型の電荷蓄積部と、前記電荷蓄積部に対向して前記半導体基体の前記第1面側に設けられ、前記信号電荷の転送読み出しを行う電荷転送部と、前記電荷蓄積部に蓄積された前記信号電荷を前記電荷転送部へ移送する電荷移送手段と、前記電荷蓄積部と前記電荷転送部との間に形成される前記信号電荷の移送経路の少なくとも一部に設けられ、非電荷移送時には電位障壁の山を生じて前記信号電荷の移動を遮り、かつ電荷移送時には前記電荷移送手段によって前記電位障壁の山が除かれて前記信号電荷の完全移送を保証するバリア領域とを備えたことを特徴とする撮像装置。

IPC (3件)：

H01L 27/148 ,  H01L 27/14 ,  H04N 5/335

FI (3件)：

H04N 5/335 P ,  H01L 27/14 B ,  H01L 27/14 Z

Fターム (23件)：

4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA12 ,  4M118DB01 ,  4M118DB03 ,  4M118DB06 ,  4M118DB08 ,  4M118EA01 ,  4M118FA06 ,  4M118FA21 ,  4M118FA26 ,  4M118FA32 ,  4M118FA38 ,  4M118GA02 ,  4M118HA30 ,  5C024AX01 ,  5C024AX11 ,  5C024AX16 ,  5C024CX13 ,  5C024CY47 ,  5C024EX25 ,  5C024GY06 ,  5C024JX21