特許

J-GLOBAL ID：200903060759055282

半導体装置,半導体装置の製造方法,薄膜トランジスタ ,薄膜トランジスタの製造方法,表示装置,表示装置の 製造方法

発明者： 浜田 弘喜 ,  平野 貴一 ,  合田 信弘 ,  阿部 寿 ,  田口 英二 ,  小田 信彦 ,  森本 佳宏
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-310825
公開番号（公開出願番号）：特開平8-195491
出願日： 1994年12月14日
公開日（公表日）： 1996年07月30日
要約：

【要約】【目的】所望の移動度を有する多結晶シリコン膜を簡易な方法で製造する。【構成】透明絶縁基板1上に形成した多結晶シリコン膜2の表面を酸化し、酸化物層3を形成した後、多結晶シリコン膜2および酸化物層3の上に非晶質シリコン膜4を形成し、この非晶質シリコン膜4を固相成長させて多結晶シリコン膜5を形成する。各多結晶シリコン膜2,5の膜厚比を調整することにより、多結晶シリコン膜5の移動度を所望の値にすることができる。

請求項（抜粋）：

少なくとも部分的に移動度の異なる多結晶シリコン薄膜を備えた半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20

FI (2件)：

H01L 29/78 311 Y ,  H01L 29/78 311 H

引用特許：

審査官引用 (7件)

• 特開平2-094624
  
• 特開平1-090853
  
• 特開昭64-045162
  
• 特開平4-051514
  
• 特開昭64-066928
  
• 特開平2-109319
  
• 特開平4-196311