特許
J-GLOBAL ID：200903060759515127
アバランシェフォトダイオード
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-338651
公開番号（公開出願番号）：特開平5-211344
出願日： 1991年12月20日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：
【要約】【目的】 高イオン化率比α/βで低雑音・高速応答特性と同時に、低暗電流な特性を実現する。【構成】 本発明のアバランシェフォトダイオードは、半導体超格子構造を増倍層とし、該超格子の井戸層が2種類以上の半導体15、16の短周期超格子により等価的に該半導体15、16の混晶と見なせる層となっている。この短周期構造によって超格子井戸層中にミニバンドが形成され、その実効的禁制帯幅は該井戸層を構成する第2種半導体層のバルク状態の禁制帯幅よりも大きくなるため、井戸層内でのバンド間トンネル遷移による暗電流が減少する。高イオン化率比α/βで低雑音・高速応答特性と同時に、低暗電流な特性を実現できる。
請求項（抜粋）：
増倍層と光吸収層とを備えたアバランシェフォトダイオードであって、半導体超格子構造を増倍層とし、該超格子構造の井戸層が2種類以上の半導体の短周期超格子により構成されていることを特徴とするアバランシェフォトダイオード。
引用特許：
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