特許

J-GLOBAL ID：200903060766055018

エッチング装置、テクスチャ基板の製造方法および光起電力装置の製造方法

発明者： 田口 幹朗 ,  谷口 裕幸
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： ▲角▼谷 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-091095
公開番号（公開出願番号）：特開2006-278409
出願日： 2005年03月28日
公開日（公表日）： 2006年10月12日
要約：

【課題】 結晶系シリコン基板7の表面にテクスチャ形状を形成するテクスチャエッチングにおいて、エッチング溶液4の交換頻度を少なくすることができるエッチング装置、並びにエッチング用溶液の交換頻度を少なくすることで製造コストの低減を可能とすることができるテクスチャ基板の製造方法及び光起電力装置の製造方法を提供する。【解決手段】 エッチング装置に、エッチング溶液4中に溶出したドーパントイオンを収集するための吸着手段、析出手段、電気的収集等の手段を備える。これにより、テクスチャエッチングに悪影響を及ぼしていると考えられる溶出ドーパントイオンをエッチングに影響を与えない様に局所的に保持する、即ちエッチング対象のシリコン基板から遠ざけることができる。その結果、エッチング溶液の交換頻度を低減することが可能となる。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

p型又はn型のドーパントを含む結晶系シリコンをエッチング溶液中に浸漬してエッチングするエッチング装置であって、 前記エッチング溶液を貯めるためのエッチング槽と、 前記エッチング溶液中に溶出した前記ドーパントを収集するための収集部と、 を備えることを特徴とするエッチング装置。

IPC (2件)：

H01L 21/306 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01L21/306 J ,  H01L31/04 H

Fターム (9件)：

5F043AA02 ,  5F043EE33 ,  5F043EE40 ,  5F043FF10 ,  5F051AA02 ,  5F051CB21 ,  5F051DA03 ,  5F051GA04 ,  5F051GA15

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 凹凸基板の製造方法、凹凸構造形成用界面活性剤並びに光起電力素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-241242   出願人：三洋電機株式会社