特許
J-GLOBAL ID：200903060766276952

レジストパターンの形成方法及び露光装置

発明者：
古川 貴光

古川 貴光 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-085788
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274062
出願日： 2000年03月27日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：
【要約】【課題】 KrF露光技術の解像限界に達しない比較的大きなパターンとKrF露光技術の解像限界以下の極く微細なパターンを同時に良好に形成できるレジストパターンの形成方法及びこの方法に用いる露光装置を提供する。【解決手段】 SiO2膜12の表面に形成したTDUR-P015よりなるレジスト膜10(図1(A))に対し、波長248nmのディープUV光により、縮小対象領域に対しては最終的に必要なパターン寸法より縮小率に合わせて大きくした寸法の円形パターンと非縮小対象領域には最終的に必要な寸法の円形パターンを、同時にパターン露光し(図1(B))、現像して得られたレジストパターン(図1(C))に対し、非縮小対象領域のみにレジスト膜10を構成するTDUR-P015の耐熱性が向上してレジストパターンが縮小しなくなる量のUV光露光量を与え(図1(D))、135度60秒の高温ベーク処理を施す(図1(E))。
請求項（抜粋）：
表面にレジストが塗布された被加工物のレジストに対し、パターンを形成するための第1の露光量を与えるパターン露光を行った後、現像してレジストパターンを形成し、前記レジストパターンにレジストパターンの縮小率を調整する第2の露光量を与える露光を行った後、レジストがフローする温度でベーク処理を行うレジストパターンの形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/40
FI (3件)：
G03F 7/20 521 ,  G03F 7/40 ,  H01L 21/30 571
Fターム (7件)：
2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096EA05 ,  2H096HA01 ,  5F046AA13 ,  5F046BA04 ,  5F046CA04
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • レジストパタンの形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-280783   出願人：沖電気工業株式会社
  • 特開昭61-166130
  • 特開昭61-166130

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