特許
J-GLOBAL ID：200903060767087940
圧力センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-020858
公開番号（公開出願番号）：特開平6-213745
出願日： 1993年01月14日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：
【要約】【目的】 圧力の他に温度を検出する機能を有する温度検出機能付きの圧力センサにおいて安価にして、耐ノイズ性を向上させる。【構成】 固定部となる厚肉部2と薄肉ダイアフラム部3とを備えたチップ状のn形シリコン基板1を用い、その薄肉ダイアフラム部3の所定領域にp形拡散領域からなるピエゾ抵抗効果をもつゲージ抵抗4(4A〜4D)を形成する。そして、このシリコン基板1上の厚肉部2内には、不純物濃度の低い第1の抵抗層71,72と不純物濃度の高い第2の抵抗層81,82 を形成して、これら第1の抵抗層71,72と第2の抵抗層81,82により温度検出用のブリッジ回路9を一体に構成する。これにより、第1の抵抗層71 ,72と第2の抵抗層81,82 との温度に対する抵抗値の変化を利用して温度を検出できる。
請求項（抜粋）：
固定部となる厚肉部と薄肉ダイアフラム部からなる半導体単結晶基板と、前記薄肉ダイアフラム部の所定領域に形成されたピエゾ抵抗効果を有する複数のゲージ抵抗とを備え、これらゲージ抵抗のピエゾ抵抗効果を利用して圧力を検出する圧力センサにおいて、前記半導体単結晶基板上の厚肉部に、不純物濃度の低い第1の抵抗層と不純物濃度の高い第2の抵抗層を形成して、これら抵抗層の温度に対する抵抗値の変化を温度信号として検出する温度検出回路を一体に構成したことを特徴とする圧力センサ。
IPC (2件)：
G01L 9/04 101
, G01K 7/00 391
