埋め込み型半導体レーザ素子の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：清水守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-204982
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058405
出願日： 1993年08月19日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：

【要約】【目的】活性層幅が1.0〜1.8μmと小さく、しかもn型InP電流阻止層の結晶成長時に這い上がりを防止することができる埋め込み型半導体レーザ素子の製造方法を提供する。【構成】埋め込み型半導体レーザ素子の製造方法において、メサストライプ15を形成するエッチング液として、臭化水素酸、過酸化水素水、塩酸及び水からなり、臭化水素酸:過酸化水素水:塩酸:水の体積比が、2:1:20:10であり、メサストライプ15の形状が上部では垂直に近い逆メサ、下部では順メサ構造となり、メサストライプ15の幅と高さの比が1対2以上であり、p型InGaAsP活性層12が1.0〜1.8μmとなるメサストライプ15を形成する。

請求項（抜粋）：

埋め込み型半導体レーザ素子の製造方法において、(a)メサストライプを形成するエッチング液として、臭化水素酸、過酸化水素水、塩酸及び水からなり、臭化水素酸:過酸化水素水:塩酸:水の体積比が、2:1:20:10であり、(b)メサストライプの形状が上部では垂直に近い逆メサ、下部では順メサ構造となし、(c)前記メサストライプの幅と高さの比が1対2以上であり、活性層が1.0〜1.8μmとなるメサストライプを形成する埋め込み型半導体レーザ素子の製造方法。

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