拡散層の形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-008844
公開番号（公開出願番号）：特開平5-211165
出願日： 1992年01月22日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：

【要約】【目的】シリコン基板上に形成された絶縁層に設けた開口部を通し、シリコン基板に対して選択的にイオン注入を行なって拡散層を形成する工程においてシリコン結晶に導入される結晶欠陥を低減させる。【構成】LDDトランジスタの高濃度拡散層108を形成するためイオン注入を行なう場合に、あらかじめ窒化シリコン膜110を堆積したのちイオン注入を行ない、その後、窒化シリコン膜110を取り除くことによりスペーサ酸化膜104の端と非晶質領域107の端とを一定距離はなして熱処理を加えることにより、拡散層を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に選択的に形成された絶縁膜で少なくともその一部を区画されたイオン注入マスクを形成する工程と、所定厚さの他の絶縁膜を堆積して前記イオン注入マスクの開口部の寸法を狭くする工程と、所定の不純物を前記開口部を通して半導体基板に注入する工程と、前記第2の絶縁膜を少なくとも前記開口部から除去したのちに熱処理を行なって注入損傷を回復させる工程とを有することを特徴とする拡散層の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/336 , H01L 29/784 , H01L 21/266 , H01L 21/265

FI (5件)：

H01L 29/78 301 P , H01L 21/265 M , H01L 21/265 L , H01L 21/265 A , H01L 29/78 301 L

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