特許
J-GLOBAL ID：200903060772311964
半導体レーザ装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
岩橋 文雄
, 内藤 浩樹
, 永野 大介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-042167
公開番号（公開出願番号）：特開2006-135366
出願日： 2006年02月20日
公開日（公表日）： 2006年05月25日
要約：
【課題】同一基板上に複数の波長の異なる半導体レーザ装置チップを集積する場合において、同時に端面窓構造を形成する。【解決手段】101はn型GaAs基板、102はn型AlGaInPクラッド層、103はGaAs井戸層とAlGaAs障壁層から構成された量子井戸構造の活性層、104はp型AlGaInP第一クラッド層、105はp型GaInPエッチング停止層、106はp型AlGaInP第二クラッド層、107はp型GaInPバンド不連続緩和層、108はp型AlGaAs拡散制御膜である。111はレーザ端面に端面窓構造を形成するためにZnの固相拡散により設けられた不純物拡散領域である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された複数のダブルへテロ構造と、前記複数のダブルへテロ構造の各々の上に形成された前記ダブルへテロ構造中の活性層に拡散する不純物の量を制御する拡散制御膜とを有し、
前記複数のダブルヘテロ構造の各々は前記半導体基板に順次形成された第一導電型クラッド層と、井戸層と障壁層とを含む量子井戸構造よりなる活性層と、第二導電型クラッド層とを含み、
前記第二導電型クラッド層の少なくとも一部にAlf1Ga1-f1-g1Ing1P(0≦f1≦1、0≦g1≦1)よりなる層を有し、前記別の第二導電型クラッド層の少なくとも一部にAlf2Ga1-f2-g2Ing2P(0≦f2≦1、0≦g2≦1)よりなる層を有し、
前記複数のダブルヘテロ構造のうち1つがAly1Ga1-y1-z1Inz1P(0≦y1≦1、0≦z1≦1)よりなる井戸層を有する量子井戸構造の活性層を有し、別の1つがAltGa1-tAs(0≦t≦1)よりなる井戸層を有する量子井戸構造の活性層を有し、
前記複数の拡散制御膜はそれぞれAlxGa1-xAs(0≦x≦1)よりなる半導体レーザ装置。
IPC (3件)：
H01S 5/22
, H01S 5/343
, H01S 5/16
H01S5/22 610
, H01S5/343
, H01S5/16
5F173AA05
, 5F173AA48
, 5F173AB76
, 5F173AC35
, 5F173AD06
, 5F173AH02
, 5F173AH06
, 5F173AP05
, 5F173AP32
, 5F173AP53
, 5F173AR07
