特許

J-GLOBAL ID：200903060775549988

プラズマエッチング装置

発明者： 縄田 誠 ,  薬師寺 守 ,  高橋 主人
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-048110
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250469
出願日： 1995年03月08日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：

【要約】【目的】シリコン、多結晶シリコン及びシリサイドの下地膜である酸化膜(SiO2)のエッチング速度の変化を抑制しウエハ間の均一性を向上させるのに好適なプラズマエッチング装置を提供することにある。【構成】アース電極上(6)への反応生成物の堆積を防止し、かつプラズマによるアース電極(6)の削れ量を一定に保つためにアース電極(6)の温度を制御する。また、エッチング処理枚数によってアース電極(6)表面の組成が変化せず、かつ基板(9)への汚染を引き起こさない材料である炭化けい素(SiC)あるいはガラス状カーボンをアース電極に用いる。【効果】アース電極上への反応生成物の堆積がなく、かつプラズマによるアース電極の削れ量を一定に保つことができ、エッチング処理枚数の増加にともなう酸化膜(SiO2)のエッチング速度の変化を防止することができる。

請求項（抜粋）：

塩素ガス(Cl2)の単独ガスあるいは塩素ガス(Cl2)と酸素ガス(O2)の混合ガスをエッチングガスとして用い、ガス圧力20mTorr以下でシリコン、多結晶シリコン及びシリサイドのエッチングを行うプラズマエッチング装置において、接地電位にある電極(アース電極)の温度制御を可能に構成したことを特徴とするプラズマエッチング装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00

FI (3件)：

H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 E ,  C23F 4/00 D