特許
J-GLOBAL ID：200903060775755294
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-147992
公開番号（公開出願番号）：特開平7-014993
出願日： 1993年06月18日
公開日（公表日）： 1995年01月17日
要約：
【要約】【目的】 高誘電率材料からなるキャパシタ誘電体膜とその下の層間絶縁膜との密着性を改善するとともに、キャパシタ下部電極からのリーク電流を有効に防止し得る半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】 シリコン酸化膜からなる層間絶縁膜10と高誘電体膜15との間に、TiO2 、ZrO2 、Ta2 O5 、Si3 N4 またはAl2 O3 からなる密着層11を介在させている。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、所定領域に前記半導体基板に達する開口を有する層間絶縁膜と、前記開口内で前記半導体基板に電気的に接触するとともに前記開口内を充填するように形成されたプラグ電極と、前記プラグ電極および前記層間絶縁膜上に、前記プラグ電極と電気的に接続するように形成されたキャパシタ下部電極と、前記キャパシタ下部電極上と前記層間絶縁膜上とに、前記キャパシタ下部電極を覆うように形成された高誘電率材料よりなるキャパシタ誘電体膜と、前記キャパシタ誘電体膜上に形成されたキャパシタ上部電極とを備え、少なくとも前記層間絶縁膜と前記キャパシタ誘電体膜との間には、少なくとも前記層間絶縁膜と前記キャパシタ誘電体膜とに対して密着性の良い材質からなる密着層が形成されている、半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 27/108
, H01L 21/822
, H01L 27/04
