特許
J-GLOBAL ID：200903060776024684

不揮発性半導体記憶装置

発明者：
馬渡 博史

馬渡 博史 について

, 
澤田 喜久三

澤田 喜久三 について


出願人/特許権者：
新日本製鐵株式会社

新日本製鐵株式会社 について


代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-222289
公開番号（公開出願番号）：特開平7-057489
出願日： 1993年08月13日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：
【要約】【目的】 フラッシュEEPROMのデータ書き換え前後でデータに変更のないメモリセルの書き換えを行わない。【構成】 比較検出回路CDCRはメモリセルの記憶データと新規書き換えデータとを比較し、データコントロール回路IOCNTは比較検出回路CDCRからの情報によりメモリセルの記憶データを書き換える必要性の有無を判別する。データコントロール回路IOCNTからの情報により1ビット単位でのデータの消去及び書き込みを行って、記憶データを書き換える必要のあるメモリセルに対してのみ書き換えを行う。【効果】 データ書き換えの時間を短縮でき、また、メモリセルのエンデュランス特性が向上する。
請求項（抜粋）：
電気的に書き込みが可能な不揮発性半導体記憶装置において、行列状に配置された複数の電気的書き込みが可能な不揮発性半導体メモリセルと、前記メモリセルの内少なくとも1つを選択状態にし、他のメモリセルを非選択状態とするデコーダ回路と、前記デコーダ回路を介し前記選択状態のメモリセルに書き込みを行う書き込み手段と、前記デコーダ回路を介し前記選択状態のメモリセルから読み出しを行う読み出し手段と、前記選択状態のメモリセルの記憶データと新規書き換えデータとを保持しかつこれらを比較検出する検出手段と、前記検出手段からの情報により、前記選択状態のメモリセルの記憶データを書き換える必要性の有無を判別する判別手段と、前記判別手段からの情報により、1ビット単位でのデータの消去及び書き込みを行って、記憶データを書き換える必要のあるメモリセルに対してのみ書き換えを行う手段とを有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (5件)：
G11C 16/06 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (3件)：
G11C 17/00 510 E ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 特開昭58-208994
  • 特開平4-255996
  • 特開平2-116092
審査官引用 (24件)
  • 特開昭58-208994
  • 特開平2-116092
  • 特開平4-255996
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