特許

J-GLOBAL ID：200903060776295653

超電導限流素子および超電導部材

発明者： 寺島 喜昭 ,  山崎 六月 ,  工藤 由紀 ,  芳野 久士
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-086631
公開番号（公開出願番号）：特開平7-298487
出願日： 1994年04月25日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：

【要約】【目的】 基本的な限流特性を維持した上で、酸化物超電導体薄膜にクラックや溶断等が生じることを防止した超電導限流素子を提供する。【構成】 酸化物基板1上に形成された酸化物超電導体層2により電流経路を構成した超電導限流素子である。酸化物超電導体層2上には、 MgO、 SrTiO3 、 Y安定化 ZrO2 、Al2 O 3 および AlNから選ばれた少なくとも 1種の電気絶縁体膜4を介して金属膜5が設けられている。あるいは、酸化物超電導体層上に部分的に厚さが異なる保護層または部分的に形成された保護層が設けられている。基板に結晶の規則性の乱れによる線状の不連続領域が存在するときには、酸化物超電導体層による電流主経路の幅をA、不連続領域上を横切るように設けられた酸化物超電導体層の不連続領域方向の幅をBとした場合に、B>Aとする。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された酸化物超電導体層により電流経路を構成した超電導限流素子において、前記酸化物超電導体層上に、 MgO、 SrTiO3 、 Y安定化 ZrO2 、Al2 O 3 および AlNから選ばれた少なくとも 1種の電気絶縁体膜を介して金属膜が設けられていることを特徴とする超電導限流素子。

IPC (4件)：

H02H 9/02 ZAA ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01L 39/06 ZAA ,  H01L 39/16 ZAA