半導体集積回路の実装方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-296901
公開番号（公開出願番号）：特開平5-211257
出願日： 1991年11月13日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：

【要約】【目的】多ピン、高速度,高パワー,大型なVLSエチップに最適な実装方法を提供する。【構成】シリコン基板に微細配線層を形成したものを回路基板として使用し、VLSエチップを合金層で、また放熱フィンをサーマルグリースでシリコン基板にダイレクトに取付け、低熱抵抗化を図かる。VLSチップとその周辺部分のみを局部的に密封し、封止を容易にする。【効果】熱抵抗を低減する。封止が容易になる。極めて高価である大型パッケージを使用しなくてもよくなる。最後の効果は、取付けた放熱フィンがシリコン基板の機械的強度を補強するために可能となる。

請求項（抜粋）：

回路基板上に、複数のVLSI(超大規模集積回路)チップを搭載する半導体集積回路の実装方法において、回路基板としてシリコン基板を使用し、その主表面側には、VLSIチップが合金層により取り付けられ、かつ、VLSIチップ相当部分以外に微細配線層が形成され、かつ、VLSIチップと微細配線層とは、低インダクタンス化して電気的に接続し、さらにVLSIチップとその周辺部分を被覆するキャップにより局部的に密封され、一方、シリコン基板の裏面側には熱伝導率の高いサーマルグリースで放熱フィンが取付けられていることを特徴とする実装方法。

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