遠紫外軟X線投影リソグラフィー法およびマスク装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柳田征史 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-512998
公開番号（公開出願番号）：特表2003-505891
出願日： 2000年07月13日
公開日（公表日）： 2003年02月12日
要約：

【要約】本発明は、遠紫外軟X線フォトンを反射させて、集積回路の製造および極小寸法のパターンの形成のために遠紫外軟X線投影リソグラフィーシステムの使用を可能にした反射マスクおよびそれらの使用に関するものである。投影リソグラフィー法は、遠紫外軟X線源から遠紫外軟X線λを発生させかつ方向づけるための照射サブシステムを提供し、かつ遠紫外軟X線源から発生した遠紫外軟X線λによって照射されるマスク・サブシステムを提供する各工程を含み、このマスク・サブシステムを提供することは、遠紫外軟X線λによって照射された場合に、投影されるマスクパターンを形成するためのパターン化された反射マスクを提供することを含む。パターン化された反射マスクの提供は、0.15nm以下のRa粗さを有するTiをドープされた高純度SiO2 ガラスの欠陥のないウエーハ表面を覆う反射多層被膜上に被されたパターン化された吸収テンプレートを備えたTiをドープされた高純度SiO2 ガラスウエーハを提供する工程を含む。この方法は、投影サブシステムと、放射線感応性ウエーハ表面を備えた印刷媒体を付されたウエーハとを提供する工程を含み、上記投影サブシステムは、パターン化された反射マスクから投影されるマスクパターンを上記放射線感応性ウエーハ表面に投影する。

請求項（抜粋）：

100nm未満の形状寸法を有する印刷配線態様の集積回路を製造するための投影リソグラフィー法であって、遠紫外軟X線源を備えて、遠紫外軟X線λを発生させかつ方向づけるための照射サブシステムを提供し、該照射サブシステムによって発生せしめられた前記遠紫外軟X線λによって照射されるマスク・サブシステムを提供し、前記遠紫外軟X線λによって照射された場合に投影されるマスクリソグラフィーパターンを形成するための反射リソグラフィーマスクとしてパターン化されたマスク・サブシステムを提供し、ここで、前記パターン化された反射マスクは、0.15nm以下のRa粗さを有するTiをドープされたSiO2 ガラスの欠陥のない表面を覆う遠紫外軟X線λを反射し得る多層被膜上に被せられたパターン化された吸収テンプレートを備えたTiをドープされたSiO2 ガラスウエーハを含み、投影サブシステムを提供し、遠紫外軟X線λに感応するウエーハ表面を備えた集積回路ウエーハを提供し、前記投影サブシステムを用いて、前記パターン化された反射マスクから投影されるマスクパターンを放射線感応性ウエーハ表面に投影する、各工程を含むことを特徴とする前記方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 1/14 , G03F 7/20 505

FI (4件)：

G03F 1/14 B , G03F 7/20 505 , H01L 21/30 531 M , H01L 21/30 531 E

Fターム (7件)：

2H095BC24 , 2H095BC27 , 2H097CA15 , 2H097GB00 , 2H097LA10 , 5F046GA03 , 5F046GD10

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