特許
J-GLOBAL ID：200903060789637960
半導体製造装置における反応炉のチュ-ブ内のボ-ト
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 武夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-052595
公開番号（公開出願番号）：特開平7-240381
出願日： 1994年02月28日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウェ-ハの表面処理を行うCVD装置等の反応炉内に置かれた石英チュ-ブ内において、プロセスガスの流動が乱流となるため、特にウェ-ハ外周部近傍に形成される皮膜の厚さが不均一になることを防止する。【構成】 ボ-ト15を構成する天板16及び底板17の外周部において、ウェ-ハ支持棒8との接続部16a、17aを除き半径方向内側に向けた切欠き部16c、17c等を設け、且つ、切欠き底部の底径をウェ-ハWの直径D1と等しくする。
請求項（抜粋）：
半導体製造装置における反応炉の炉壁内に収容される石英チュ-ブ内に挿入され処理されるウェ-ハを収容するボ-トとして、円板状の天板と、これとほぼ同じ寸法の底板と、前記天板と底板とを上下に接続する複数本のウェ-ハ支持棒とを含み、キャリアガスに混入されたプロセスガスが前記天板から底板に向かって下方に流れてウェ-ハが処理されるボ-トにおいて;前記天板と底板とは、前記キャリアガスの流れを円滑にするために前記ウェ-ハ支持棒との接続部付近を残して円周上に切欠き部が設けられ、前記切欠き部の底径が前記ウェ-ハの直径にほぼ等しくされて、プロセスガスの流れを円滑にすることを特徴とする半導体製造装置における反応炉のチュ-ブ内のボ-ト。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C23C 16/44
, H01L 21/22 511
, H01L 21/68
