強誘電体素子およびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：武顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-142057
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332208
出願日： 1999年05月21日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】強誘電体素子の強誘電体薄膜の低温下での作製を可能にし、強誘電体薄膜の電極界面での変質層と粗大結晶粒の生成、さらには基板下に形成されている回路の劣化を防止すること。【解決手段】上部電極40、強誘電体薄膜30、および下部電極20を有する強誘電体素子において、前記強誘電体薄膜30が、Biを含んだBi層状ペロブスカイト型酸化物にPb、Sn、In、Tlからなる群から選択された少なくとも1種以上の添加元素が添加されていると共に、強誘電体薄膜30の形成を350°C以上500°C以下の温度範囲で行うことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

上部電極、強誘電体薄膜、および下部電極を有する強誘電体素子において、前記強誘電体薄膜が、Biを含んだBi層状ペロブスカイト型酸化物にPb、Sn、In、Tlからなる群から選択された少なくとも1種以上の添加元素が添加されていることを特徴とする強誘電体素子。

IPC (7件)：

H01L 27/10 451 , C04B 35/495 , H01B 3/12 312 , H01B 3/12 318 , H01B 3/12 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (7件)：

H01L 27/10 451 , H01B 3/12 312 , H01B 3/12 318 B , H01B 3/12 318 G , H01B 3/12 318 Z , C04B 35/00 J , H01L 27/10 651

Fターム (56件)：

4G030AA08 , 4G030AA09 , 4G030AA10 , 4G030AA17 , 4G030AA20 , 4G030AA21 , 4G030AA22 , 4G030AA23 , 4G030AA24 , 4G030AA27 , 4G030AA28 , 4G030AA34 , 4G030AA39 , 4G030AA40 , 4G030AA43 , 4G030BA09 , 4G030CA01 , 4G030CA07 , 4G030GA27 , 5F083AD21 , 5F083FR01 , 5F083FR02 , 5F083GA21 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA43 , 5F083PR23 , 5F083PR33 , 5F083ZA12 , 5G303AA10 , 5G303AB02 , 5G303AB15 , 5G303AB20 , 5G303BA03 , 5G303BA12 , 5G303CA01 , 5G303CB03 , 5G303CB05 , 5G303CB06 , 5G303CB09 , 5G303CB10 , 5G303CB13 , 5G303CB21 , 5G303CB25 , 5G303CB31 , 5G303CB32 , 5G303CB33 , 5G303CB37 , 5G303CB39 , 5G303CB43 , 5G303DA01

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