特許
J-GLOBAL ID：200903060791534699
シリコンウェーハの加工方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-150261
公開番号（公開出願番号）：特開2004-356252
出願日： 2003年05月28日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：
【課題】加工工程を簡略化し得る。機械的面取り工程に伴うアルカリ洗浄工程を抑制し、このアルカリ洗浄工程を起因とする金属汚染を低減する。【解決手段】本発明のシリコンウェーハの加工方法は、単結晶インゴットをスライスして薄円板状のウェーハを得る工程11と、ウェーハ表面を研削して平面化する工程13と、ウェーハをアルカリ洗浄して機械加工の汚れを除去する工程14と、複数のエッチング槽に酸エッチング液とアルカリエッチング液をそれぞれ貯え、ウェーハを酸エッチング液とアルカリエッチング液とに順次浸漬する工程16とを含み、工程11と工程13との間にウェーハをフッ酸及び硝酸をその体積比(HF/HNO3)が1/2〜1/8の割合で含む酸溶液に浸漬して、ウェーハ表裏面に形成された加工変質層を除去するとともにウェーハ周辺部の面取りを行う工程12を含む。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
単結晶インゴットをスライスして薄円板状のウェーハを得るスライス工程(11)と、
前記ウェーハ表面を研削して平面化するラッピング工程(13)と、
前記ウェーハをアルカリ洗浄して機械加工の汚れを除去するアルカリ洗浄工程(14)と、
複数のエッチング槽に酸エッチング液とアルカリエッチング液をそれぞれ貯え、前記ウェーハを酸エッチング液とアルカリエッチング液とに順次浸漬するエッチング工程(16)と
を含むシリコンウェーハの加工方法において、
前記スライス工程(11)と前記ラッピング工程(13)との間に前記ウェーハをフッ酸及び硝酸をその体積比(HF/HNO3)が1/2〜1/8の割合で含む酸溶液に浸漬して、前記ウェーハ表裏面に形成された加工変質層を除去するとともに前記ウェーハ周辺部の面取りを行う工程(12)を含む
ことを特徴とするシリコンウェーハの加工方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L21/304 611A
, H01L21/304 601B
, H01L21/306 B
5F043AA02
, 5F043BB02
, 5F043GG10
