特許
J-GLOBAL ID：200903060802015338
半導体不揮発性記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
磯村 雅俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-198180
公開番号（公開出願番号）：特開平7-057482
出願日： 1993年08月10日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：
【要約】【目的】 不揮発性記憶装置内部でメモリセルの状態を全てのデータ線毎に判定し、書込みの継続および停止などの制御を自動的に行なうようにする。【構成】 不揮発性半導体メモリセルM1〜M5がアレイ状に配置されたメモリセルアレイ、複数のメモリセル群(セクタ)のコントロールゲートが共通に接続されたワード線W1、W2、複数のメモリセルのドレインが共通に接続されたデータ線D1、D2を有し、上記データ線毎に、プリチャージ制御回路PCC、センスアンプ回路SAC、メモリセル状態検出回路ALLCを具備する。同一ワード線に接続されているメモリセル(セクタ)に対して一括して書き換える。書き換え動作中に、メモリセルの状態を全データ線で一括読み出しし、その情報に基づいて装置内部だけで書き換え動作の継続、停止を制御するようにした。
請求項（抜粋）：
それぞれがコントロールゲート、ドレインおよびソースを有する複数の不揮発性半導体メモリセルをアレイ状に配置したメモリセルアレイと、複数のメモリセル群(セクタ)のコントロールゲートが共通に接続されたワード線と、複数のメモリセルのドレインが共通に接続されたデータ線とを有し、上記データ線毎に書き換えデータを持ち、上記セクタに対して一括電気的書き換え(消去、書き込み)が可能な半導体不揮発性記憶装置において、書き換え動作中に、少なくとも一回メモリセルの状態をデータ線の全てで一括読みだし(一括ベリファイ)し、その情報に基づいて該記憶装置装置の内部だけで該書き換え動作の継続、停止を制御するようにしたことを特徴とする半導体不揮発性記憶装置。
FI (2件)：
G11C 17/00 510 A
, G11C 17/00 520 A
