特許

J-GLOBAL ID：200903060802850083

SOIウエーハの製造方法及びSOIウエーハ

発明者： 三谷 清 ,  横川 功
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-208711
公開番号（公開出願番号）：特開2000-030996
出願日： 1998年07月07日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】 SOI層の膜厚均一性が改善されたSOIウエーハを提供する。【解決手段】 SOI層を形成するボンドウエーハと支持基板となるベースウエーハのうち、少なくともボンドウエーハに酸化膜を形成し、該酸化膜を通して水素イオンまたは希ガスイオンを注入し、ボンドウエーハ内部に微小気泡層(封入層)を形成させた後、該イオン注入した方の面を前記ベースウエーハと密着させ、その後熱処理を加えて微小気泡層を劈開面としてボンドウエーハを薄膜状に分離するSOIウエーハの製造方法であって、前記ボンドウエーハに形成する酸化膜の厚さのバラツキが、前記イオン注入による注入深さのバラツキよりも小さくなるように、前記ボンドウエーハに形成する酸化膜の厚さを設定するSOIウエーハの製造方法。及びその方法で製造されたSOIウエーハ。

請求項（抜粋）：

SOI層を形成するボンドウエーハと支持基板となるベースウエーハのうち、少なくともボンドウエーハに酸化膜を形成し、該酸化膜を通して水素イオンまたは希ガスイオンを注入し、ボンドウエーハ内部に微小気泡層(封入層)を形成させた後、該イオン注入した方の面を前記ベースウエーハと密着させ、その後熱処理を加えて微小気泡層を劈開面としてボンドウエーハを薄膜状に分離するSOIウエーハの製造方法であって、前記ボンドウエーハに形成する酸化膜の厚さのバラツキが、前記イオン注入による注入深さのバラツキよりも小さくなるようにすることを特徴とするSOIウエーハの製造方法。