特許
J-GLOBAL ID：200903060804618986
位相シフト・マスクおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-239817
公開番号（公開出願番号）：特開平8-106151
出願日： 1994年10月04日
公開日（公表日）： 1996年04月23日
要約：
【要約】【構成】 SOG膜4と低透過性Cr膜5(膜厚20nm程度)との積層体からなるハーフトーン位相シフタ6を有するコンタクトホール露光用のハーフトーン型位相シフト・マスクにおいて、コンタクトホールに対応する開口部3の周囲に正方枠状の遮光性Cr膜パターン2p(膜厚40nm程度)を配する。これにより、遮光性Cr膜パターン2pに対応するウェハ上の領域で光振幅分布曲線を不連続とし、光強度分布曲線の2次ピークを消失させる。【効果】 従来、2次ピークの存在ゆえに10%前後に制限されていたシフタ形成部のi線(波長365nm)の透過率を上げ、結像に寄与する1次ピークの強度と傾きを増大させ、コントラストを改善することができる。この光透過率を15%程度に設定すれば、焦点深度の最も大きい条件でコンタクトホール露光を行うことができる。
請求項（抜粋）：
透明基板と、前記透明基板上に所定のパターンをもって形成されたハーフトーン位相シフタと、前記透明基板上における前記ハーフトーン位相シフタの形成領域と非形成領域との境界近傍の光透過率を低下させる遮光材パターンからなる位相シフト・マスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
