特許
J-GLOBAL ID：200903060811021928
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-189600
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037035
出願日： 1992年07月16日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：
【要約】【目的】本発明は、均一な不純物濃度分布を持ちかつ不純物の活性化のための高温熱処理を必要としない、ポリシリコンによるコンタクトホ-ルの埋め込み方法を提供するものである。【構成】不純物拡散層1を含む半導体基板2上に絶縁膜3が堆積され、該不純物拡散層1上にコンタクトホ-ルが形成される。該コンタクトホ-ルにバリアメタル層4が被着された後、減圧気相成長法によりバリアメタル層4上にBを含むポリシリコン膜5が形成される。そして、表面を全面エッチングし、コンタクトホ-ルを埋め込むポリシリコンプラグ層6が形成され、Al配線層7がスパッタ形成される。
請求項（抜粋）：
半導体基板上の絶縁膜に形成された開孔部に導電層を埋め込むに際し、該開孔部に露出した上記半導体基板が少なくともN型またはP型のいずれかの場合において、上記開孔部の底部に少なくとも高融点金属又は高融点金属化合物の薄膜を形成し、上記開孔部を含む上記絶縁膜上にド-パント不純物を含むポリシリコン膜を形成し、該ド-パント不純物を含むポリシリコン膜を上記開孔部のみに存在するようにエッチング除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/28
, H01L 21/3205
, H01L 21/90
