特許

J-GLOBAL ID：200903060812700721

コンタクトホールの形成方法

発明者： 北沢 良幸
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-033410
公開番号（公開出願番号）：特開平5-234994
出願日： 1992年02月20日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 薄膜トランジスタの層間絶縁に有機絶縁膜を用いた液晶表示装置のコンタクトホールの形成方法【構成】 酸化シリコン膜103と有機絶縁膜104の積層構造からなる層間絶縁膜に0.1Torr以上のドライエッチングおよび0.1Torr以下のドライエッチングを連続して施すことにより、前記層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する。

請求項（抜粋）：

シリコン上に酸化シリコン膜を堆積する工程と、有機絶縁膜を積層する工程と、金属膜を堆積する工程と、前記金属膜をフォトリソグラフィー法によりパターニングする工程と、0.1Torr以上のドライエッチングおよび0.1Torr以下のドライエッチングを連続して施す工程を含む、前記有機絶縁膜と酸化シリコン膜をエッチングすることを特徴とするコンタクトホールの形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/302 ,  H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 21/88 F ,  H01L 29/78 311 F