特許
J-GLOBAL ID:200903060828657443

磁気抵抗効果型ヘッド及びそれを用いた磁気記憶装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小川 勝男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-186262
公開番号(公開出願番号):特開平11-039611
出願日: 1997年07月11日
公開日(公表日): 1999年02月12日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】磁気抵抗物質からなる磁気抵抗層3と、磁気抵抗層3に電気的に接続している複数の導電性リード層4からなる磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、該導電性リード層4として低抵抗率タンタルを成長させるためのシード膜とタンタルからなる構造を用いた場合、シード膜の表面状態によってその上に成長するタンタルの抵抗率が大きく変化し、量産プロセスには適していない。【解決手段】磁気抵抗効果型ヘッドの導電性リード層4を、タンタルにタングステン、モリブデンの内、少なくとも1元素を加えた合金のみで構成する。その結果、導電性リード構造は量産プロセスにおいて、耐エレクトロマイグレーション性、耐食性及び抵抗安定化に優れた特性を有する。
請求項(抜粋):
磁気抵抗物質からなる磁気抵抗層と、磁気抵抗層に電気的に接続している複数の導電性リード層からなり、磁気抵抗層の抵抗変化を検知して信号出力する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、該導電性リード層がタンタルにタングステン、モリブデンの内、少なくとも1元素を加えた合金で構成されていることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。

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