特許

J-GLOBAL ID：200903060834035608

電子による反応を利用した微細処理方法

発明者： 宇賀神 隆一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-013178
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206018
出願日： 1992年01月28日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：

【要約】【目的】 電子のエネルギーによる処理の、より微細化をはかる。【構成】 p型高濃度半導体1上にn型低濃度半導体表面層2が設けられた半導体基体3を真空中に配置して半導体基体3の表面に針状金属電極4を近づけて、この針状金属電極4とp型高濃度半導体1との間にこのp型高濃度半導体1を負側とする電圧を印加して針状金属電極4の先端部の半導体中にアバランシェ・ブレイク・ダウンを生じさせて半導体基体側からの電子を引き抽出し、この電子のエネルギーをもって微細処理を行う。

請求項（抜粋）：

p型高濃度半導体上にn低濃度半導体表面層が設けられてp-n接合が形成された半導体基体を用意し、該半導体基体を真空中に配置して該半導体基体の上記n型低濃度半導体表面層側に針状金属電極を近づけ、該針状金属電極と上記p型高濃度半導体との間に該p型高濃度半導体を負側とする電圧を印加して上記針状金属電極の先端部において半導体基体中に局所的なアバランシェ・ブレイク・ダウンを生じさせて該半導体基体から電子を引出し該電子のエネルギーによる反応をもって上記半導体基体表面層自体あるいはこの表面層上に形成した被加工層に微細処理を行うことを特徴とする電子による反応を利用した微細処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 21/30 341 Z ,  H01L 21/30 341 P