特許

J-GLOBAL ID：200903060846588858

半導体装置の製造方法

発明者： 有江 寛之 ,  河合 直行 ,  磯前 誠一 ,  松田 安司 ,  斎藤 滋晃
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-196945
公開番号（公開出願番号）：特開2004-039953
出願日： 2002年07月05日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：

【課題】半導体ウェハの熱処理を枚葉式で行う場合であっても、充分に汚染物質(重金属)を除去することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】ヒータ1に半導体ウェハ2の裏面(素子形成面とは反対側の面)を接触させるようにして、半導体ウェハ2をヒータ1上に配置する。また、冷却材3に半導体ウェハ2の表面(素子形成面)を接触させるようにして、冷却材3を半導体ウェハ2上に配置する。このように半導体ウェハ2をヒータ1と冷却材3により挟むことで、半導体ウェハ2の厚さ方向に温度勾配を形成する。また、電極4に負電圧を印加し、電極5に正電圧を印加することにより、半導体ウェハ2の厚さ方向に電場を形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

(a)半導体ウェハの素子形成面とは反対側の面を加熱、または前記素子形成面を冷却することにより、前記素子形成面とは反対側の面と前記素子形成面との間に温度勾配を形成する工程と、 (b)前記(a)工程で形成した温度勾配により、前記半導体ウェハ内にある汚染物質を、前記素子形成面とは反対側の面に集積する工程と、 (c)前記(b)工程で集積した前記汚染物質を除去する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L21/322 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088

FI (2件)：

H01L21/322 G ,  H01L27/08 102D

Fターム (9件)：

5F048AA07 ,  5F048AC01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB09 ,  5F048BF02 ,  5F048BF07 ,  5F048BF12 ,  5F048BF16 ,  5F048BG14