特許

J-GLOBAL ID：200903060847054091

半導体装置

発明者： 伊藤 浩
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 高橋 勇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-327121
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144809
出願日： 1991年11月15日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：

【要約】【目的】ダミー配線を使用した多層配線構造において、配線容量を減少させる。【構成】第1層間絶縁膜16と、第2層間絶縁膜18との間に設けられ一定間隔を隔てて平行に且交互に配置された金属配線17とダミー配線21とを有している。そして、ダミー配線21の幅寸法金属配線17の幅寸法よりも小さく形成されている。【効果】ダミー配線を使用しているので、層間絶縁膜の平坦化,上層金属配線のカバレージを十分確保しつつ、配線容量を減少させることができる。結果的に、半導体装置の動作スピードを向上させることができる。

請求項（抜粋）：

第1層間絶縁膜と、第2層間絶縁膜と、これらの絶縁膜相互間に設けられ一定間隔を隔てて平行に且交互に配置された金属配線とダミー配線とを有する半導体装置において、前記ダミー配線の幅寸法が前記金属配線の幅寸法よりも小さく形成されていることを特徴とした半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/90

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭61-184847
  
• 特開昭63-240045
  
• 特開平1-108748