特許

J-GLOBAL ID：200903060860302010

多層ハイブリッド回路の製造方法

発明者： ウルリッヒ ゲーベル ,  西垣 進 ,  ヴァルター レートリングスヘーファー ,  ギュンター シュテッヒャー
出願人/特許権者： ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-181230
公開番号（公開出願番号）：特開平6-164143
出願日： 1993年07月22日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：

【要約】【目的】 少なくとも2枚の生のセラミックフィルムに導体路及びスルーホールコンタクトを設け、該生のセラミックフィルムを上下に整合して、スルーホールコンタクトにより導体路の間で電気的接続が行われるように、1つの積層体に配置し、該セラミックフィルムを焼成することにより多層ハイブリッド回路を製造する新規方法を提供する。【構成】 該方法は、焼成の際に収縮しない少なくとも1枚のセラミックプレート(6〜8)にスルーホールコンタクト(10)を設け、かつ該セラミックプレート(6〜8)を生のセラミックフィルム(1〜5,13,14)の積層体(17)内に、該セラミックプレート(6〜8)のスルーホールコンタクト(10)により導体路(1)の間の電気接続が行われるように配置することよりなる。【効果】 焼成工程でX-Y面内の生のセラミックフィルムの収縮が完全に抑制される。

請求項（抜粋）：

少なくとも2つの生のセラミックフィルム(1〜5,13,14)に導体路(11)及びスルーホールコンタクト(10)を設け、該生のセラミックフィルム(1〜5,13,14)を上下に整合して、スルーホールコンタクト(10)により導体路(11)の間で電気的接続が行われるように、1つの積層体(17)に配置し、該セラミックフィルム(1〜5,13,14)を焼成することにより多層ハイブリッド回路を製造する方法において、焼成の際に収縮しない少なくとも1枚のセラミックプレート(6〜8)にスルーホールコンタクト(10)を設け、かつ該セラミックプレート(6〜8)を生のセラミックフィルム(1〜5,13,14)の積層体(17)内に、該セラミックプレート(6〜8)のスルーホールコンタクト(10)により導体路(1)の間の電気接続が行われるように配置することを特徴とする、多層ハイブリッド回路の製造方法。

IPC (2件)：

H05K 3/46 ,  H01L 23/12

FI (2件)：

H01L 23/12 N ,  H01L 23/12 D