不揮発性半導体記憶装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-226806
公開番号（公開出願番号）：特開平9-074146
出願日： 1995年09月04日
公開日（公表日）： 1997年03月18日
要約：

【要約】【課題】しきい値の制御が簡単にでき、回路規模の増大を招くことなく多値記憶を実現できる不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】ゲート絶縁膜14を、SiO2 からなるトンネル酸化膜141、中間層の窒化シリコン膜142およびSiO2 からなるトップ酸化膜143により構成し、ゲート絶縁膜14の窒化シリコン膜142へ電荷を蓄積するこにより多値データの記憶を行う。このようにMONOS型不揮発性半導体多値記憶装置10は、書き込み、消去後のしきい値電圧Vthのばらつきが小さく、その分布幅が小さいことから、狭いしきい値電圧Vthのウインドウ幅での安定した読み出し動作を実現できる。そして、多値記憶を行う場合にも、ベリファイのような複雑な制御を行うことなく、コントロールゲート15への印加電圧を変化させるという簡単な操作のみでしきい値電圧Vthの制御が可能となる。

請求項（抜粋）：

ゲート電圧に応じてしきい値を制御することにより少なくとも3値を記憶可能な不揮発性半導体記憶装置であって、ゲート絶縁膜が、半導体基板上に第1の酸化膜、窒化膜、第2の酸化膜を順に積層した構造を有し、絶縁膜の界面に電荷を蓄積するこによりデータの記憶を行う不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭58-086777
特開昭59-211281
特開平2-180078

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