特許
J-GLOBAL ID：200903060870277227
光検知装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-042180
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249791
出願日： 1994年03月14日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：
【要約】【目的】 光検知装置に関し、光検知装置の光検知器に於ける半導体に入射した光信号を光電変換して得られる信号電荷を集める為の半導体表面の空乏層や反転層を生成される構成が簡単であって、また、その動作のさせ方が容易であると共に高い信頼性が確保されるように、しかも、その製造も簡単且つ容易であるようにする。【構成】 p-HgCdTe基板21上にその表面と表面近傍に空乏層或いは反転層からなる電荷収集層23を生成させる為の固定電荷を保持し得る絶縁膜22が選択的に形成された光検知器LD、及び、光検知器LDとインジウム・バンプ26を介して結合された信号処理回路SPをもち、基板21に入射した光信号を光電変換して得た電荷を電荷収集層23に集め、それに依って生ずる電極25の電位変化を信号処理回路SPで読み出すようにしている。
請求項（抜粋）：
化合物半導体上にその表面と表面近傍に空乏層或いは反転層からなる電荷収集層を生成させる為の固定電荷を保持し得る絶縁膜が選択的に形成された光検知器を備えてなることを特徴とする光検知装置。
IPC (2件)：
H01L 31/10
, H01L 31/0264
H01L 31/10 A
, H01L 31/08 N
