特許
J-GLOBAL ID：200903060882094683
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-303167
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148569
出願日： 1995年11月21日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：
【要約】【解決手段】半導体からなる基板表面に形成された電界効果トランジスタを少なくとも一つ以上有する半導体装置の製造方法において、前記電界効果トランジスタのゲート領域をマスクとして、砒素イオンを基板との法線に対し5度以下の角度で注入するか、同ゲート領域をマスクとして、砒素イオンを120KeV以下の加速エネルギーと150KeV以上の加速エネルギーで注入する。【効果】70KeV程度の低加速エネルギーで導入した砒素をLDD領域に使用することが可能となるため、従前通りの低加速エネルギーの注入装置を用いても精密にLDD領域の不純物分布が制御でき、さらに拡散係数の小さな砒素をLDD領域に使用するため熱処理設計の自由度が大きくなり、従来通りの段差平坦化技術などが微細デバイスでも使用可能になる。
請求項（抜粋）：
半導体からなる基板表面に形成された電界効果トランジスタを少なくとも一つ以上有する半導体装置の製造方法において、前記電界効果トランジスタのゲート領域をマスクとして砒素イオンを基板との法線に対し5度以下の角度で注入することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 21/336
, H01L 21/265
H01L 29/78 301 P
, H01L 21/265 V
