特許

J-GLOBAL ID：200903060884785837

基板処理装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 遠目塚 幸二
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 油井 透 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-220166
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031564
出願日： 2001年07月19日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
要約：

【要約】【課題】 ボート回転機構に半導体膜副生成物が混入し機構部が固着する問題を解決し、高品質の半導体膜の製造を長期間安定的に得ることを可能とする。【解決手段】 縦型の反応炉と、ボート16及びボート支持台13と、炉口をOリング6を介して閉塞する蓋体7と、ボート支持台の回転機構10とを備えた基板処理装置において、前記蓋体7を金属製とし、その内部にOリング6用の冷却用流路30を設ける一方、前記ボート支持台13の下端にSiC、Si又はSiO2のいずれかの材料から成るスカート20を設け、このスカート20に、ボート支持台の下端外周部から下側へ延びる垂下部21と、その垂下部21下端から半径方向外側へ反応室壁の直前まで延び且つ蓋体7の処理空間露出面7aに沿って延びる延在部22を形成し、処理空間露出面7aと延在部22との隙間で、回転軸11周囲に反応性ガスが回り込み難くすると共に熱の授受を可能とする。

請求項（抜粋）：

処理空間を形成し開口を有する反応室と、基板を加熱する加熱手段と、基板を保持して処理する基板保持部材と、前記反応室の開口をシール部材を介して閉塞する蓋体と、前記基板保持部材を回転軸で支持し回転させる回転機構とを備えた基板処理装置において、前記蓋体が金属製であり、その内部に、前記シール部材に対向する位置にて冷却用流路を具備し、また前記基板保持部材から延出した延出部材を具備し、この延出部材が、基板保持部材から蓋体の方向へ延びる垂下部と、その垂下部下端から半径方向外側へ反応室壁の直前まで延び且つ金属製の蓋体の処理空間露出面に沿って延びる延在部とを有することを特徴とする基板処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/22 511 ,  H01L 21/22

FI (5件)：

H01L 21/31 B ,  H01L 21/31 E ,  C23C 16/44 F ,  H01L 21/22 511 Q ,  H01L 21/22 511 R

Fターム (26件)：

4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030GA06 ,  4K030GA13 ,  4K030JA03 ,  4K030KA04 ,  4K030KA05 ,  4K030KA10 ,  4K030KA11 ,  4K030KA22 ,  4K030KA26 ,  4K030KA46 ,  5F045AA06 ,  5F045AA20 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045BB20 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ04 ,  5F045EB02 ,  5F045EC01 ,  5F045EE14 ,  5F045EF13 ,  5F045EM01 ,  5F045EM10