特許
J-GLOBAL ID：200903060884970146
位相反転マスクの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-173141
公開番号（公開出願番号）：特開平8-022114
出願日： 1994年07月04日
公開日（公表日）： 1996年01月23日
要約：
【要約】【目的】 電子ビームを利用せずに、超精密半導体補助パターン強調型の位相反転マスクを提供する。【構成】 透明基板に第1の遮光用金属層と第1の位相反転物質層を順次蒸着し、透光領域A及びその補助パターンB,B′を含む部分を画定して、画定した部分の第1の遮光用金属層と第1の位相反転物質層を選択的に除去し;全面に第2の位相反転物質層を蒸着しエッチバックして、位相反転物質の側壁を形成し;全面に、第1および第2の位相反転物質層に比べてエッチングの選択比が大きい任意の物質(例えば感光膜)を平坦に蒸着し、それを、第1および第2の位相反転物質の表面が十分に露出されるようエッチバックし;第1の遮光用金属層の高さに更にエッチバックして、補助パターンB,B′領域に位相反転層を形成し;全面に第2の遮光用物質層を蒸着しエッチバックして、前記位相反転物質の側壁に第2の遮光用物質の壁を形成する工程を含む。
請求項（抜粋）：
透明基板に第1の遮光用金属層および第1の位相反転物質層を順次蒸着し、実際のパターンを形成するための透光領域およびこの透光領域の補助パターンを含む部分を画定して、画定された部分における前記第1の遮光用金属層と、前記第1の位相反転物質層とを選択的に除去する工程と、全面に第2の位相反転物質層を蒸着しエッチバックして、位相反転物質の側壁を形成する工程と、全面に前記第1の遮光用金属層並びに前記第1および第2の位相反転物質層に比べてエッチングの選択比が大きい任意の物質を平坦に蒸着し、前記第1および第2の位相反転物質層の表面が十分に露出するように前記任意の物質をエッチバックする工程と、前記第1の遮光用金属層の高さに前記第1および第2の位相反転物質層をエッチバックして、補助パターン領域に位相反転層を形成する工程と、全面に第2の遮光用物質層を蒸着しエッチバックして、前記位相反転層の側壁に第2の遮光用物質の壁を形成する工程と、を含んでなることを特徴とする位相反転マスクの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
