特許

J-GLOBAL ID：200903060886106643

半導体装置の製造方法

発明者： 星 忠 秀 ,  新 田 伸 一 ,  斉 藤 芳 彦 ,  都鹿野 健 一 ,  秋 田 圭 子
出願人/特許権者： 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-007528
公開番号（公開出願番号）：特開平8-227994
出願日： 1995年01月20日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：

【要約】【目的】 選択性に優れた単結晶シリコン膜を高成長速度で成長させる半導体装置の製造方法、および、良好な単結晶シリコン膜の選択成長と良好な多結晶シリコン膜又はアモルファスシリコン膜の選択成長と行える半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 シリコン基板21上に酸化膜22を形成する酸化膜形成工程と、酸化膜22に開口部22a を設けてシリコン基板の一部を露出させる酸化膜開口工程と、露出したシリコン基板21上へ単結晶シリコン膜23を形成する単結晶シリコン膜形成工程とを備えた製造方法において、単結晶シリコン膜形成工程が、13000Pa 以下の減圧雰囲気下で、シリコン基板21を500rpm以上で回転させながらシリコン堆積層の気相成長を行う工程である。さらに、単結晶シリコン膜形成工程よりも高圧の雰囲気下で、シリコン基板21を500rpm以下で回転させながら多結晶シリコン膜またはアモルファスシリコン膜の気相成長を行う。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、前記酸化膜に開口部を設けて前記シリコン基板の一部を露出させる酸化膜開口工程と、露出した前記シリコン基板上へ単結晶シリコン膜を形成する単結晶シリコン膜形成工程とを備えた半導体装置の製造方法において、単結晶シリコン膜形成工程が、13000Pa以下の減圧雰囲気下で、前記シリコン基板を500rpm以上で回転させながら単結晶シリコン膜の気相成長を行う工程であることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/78 ,  C30B 29/06 504 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 29/78 301 X ,  C30B 29/06 504 A ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 617 V