特許
J-GLOBAL ID:200903060888972739
サーミスタ素子及びその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
杉浦 秀幸
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-229155
公開番号(公開出願番号):特開2009-088494
出願日: 2008年09月06日
公開日(公表日): 2009年04月23日
要約:
【課題】 サーミスタ素子及びその製造方法において、さらなる高抵抗化が可能で、より幅広い抵抗値制御を可能にすること。【解決手段】 サーミスタ材料である金属酸化物焼結体と絶縁体材料との混合焼結体で構成されたサーミスタ層2Aと、該サーミスタ層2Aを挟んで積層され絶縁体材料で形成された絶縁体層2Bと、サーミスタ層2Aに一端が固定された一対のリード線1と、を備えている。特に、サーミスタ層2Aが、一般式:La(Cr1-xMnx)O3(ただし、x=0.0〜0.6)で示される複合酸化物を含む。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
サーミスタ材料である金属酸化物焼結体と絶縁体材料との混合焼結体で構成されたサーミスタ層と、
該サーミスタ層を挟んで積層され絶縁体材料で形成された絶縁体層と、
前記サーミスタ層に一端部が接続された少なくとも一対のリード線と、を備えていることを特徴とするサーミスタ素子。
IPC (3件):
H01C 7/04
, C04B 35/50
, G01K 7/22
FI (3件):
H01C7/04
, C04B35/50
, G01K7/22 N
Fターム (11件):
2F056QF01
, 2F056QF05
, 2F056QF07
, 2F056QF10
, 5E034BA09
, 5E034BB01
, 5E034BC01
, 5E034DB13
, 5E034DB17
, 5E034DE05
, 5E034DE07
引用特許:
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