特許
J-GLOBAL ID：200903060890800171
全光学的垂直構造量子井戸構成要素マトリクスの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-156371
公開番号（公開出願番号）：特開平8-043867
出願日： 1995年06月22日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：
【要約】【目的】 全光学的垂直構造量子井戸構成要素マトリックスの製造方法を提供する。【構成】 この方法は、下部ミラー(2)および、作業波長においてブラッグ条件によって規定される厚さを有するネガ型層(7)を伴うセルフアラインメントマスク(4)によって部分的に被覆された活性領域(3)によって構成される半構造のカプセル封じにある。カプセル封じされた半構造は、活性領域の非被覆部分におけるアロイ相互拡散(9)を誘導するために熱処理され、上部ブラッグミラーを完成させるために単数または複数のネガ型層およびポジ型層(10,11)によって被覆される。
請求項（抜粋）：
2個のブラッグミラーの間に存する、III/V族系化合物の量子井戸ヘテロ構造物より形成された全光学的関数による垂直構造量子井戸構成要素マトリクスの製造方法であって、半構造の上側が作業波長におけるブラッグ条件によって規定される厚さを有するネガ型誘電層(7)によってカプセル封じされていることと、前記半構造は、a)基板(1)上に“エピタキシャル薄膜成長”された半導体層の単数または複数の交番より成る下部ミラー(2)と、b)前記ミラー上に“エピタキシャル薄膜成長”された量子井戸ヘテロ構造物より成る活性領域(3)と、c)前記活性領域はセルフアラインメントマスク(4)によって部分的に被覆されており、このマスクは、ポジ型層として機能し、活性領域の上側の被覆された領域(5)と、被覆されていない領域(6)とを、マスクのエッチングによる凹部によってマトリクス状に区画化するように各点としてエッチングされたものである、前記活性領域とから構成されており、前記カプセル封じされた半構造が、エッチングされたマスクによって被覆されていない上側を有する活性領域の一部にアロイの不規則(9)を誘導し、それによって対応するピクセルマトリクス(8)を活性領域に形成し、さらにマスクの活性領域へのその転写を確実にするために、適切な温度で熱処理されることと、前記ネガ型層が、必要に応じ、以前の層と同じでも異なってもよい様々な屈折率の誘電層の単数または複数の交番(10,11)によって被覆することができ、最大反射率を確保するためには、層の全数は偶数でなければならないこととを特徴とする方法。
IPC (3件)：
G02F 1/35
, H01S 3/10
, H01S 3/18
