特許

J-GLOBAL ID：200903060891192221

気相エピタキシャル成長装置

発明者： 澤田 亮 ,  江部 広治
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-001193
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190454
出願日： 1992年01月08日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：

【要約】【目的】 気相エピタキシャル成長装置に関し、均一な厚さのエピタキシャル結晶が容易に確実に得られる装置を目的とする。【構成】 反応管1内に、エピタキシャル成長用の基板6を載置した基板加熱台5を設置し、前記反応管1内にエピタキシャル成長用ガスを供給し、該ガスの加熱分解により基板6上にエピタキシャル結晶を成長する装置に於いて、前記基板6のガス上流側端部6A近傍の位置に対応する該反応管1の断面積を、前記基板6のガス下流側端部6B近傍の位置に対応する反応管1の断面積より小さく保つことで構成する。

請求項（抜粋）：

反応管(1) 内に、エピタキシャル成長用の基板(6) を載置した基板加熱台(5) を設置し、前記反応管(1) 内にエピタキシャル成長用ガスを供給し、該ガスの加熱分解により基板(6) 上にエピタキシャル結晶を成長する装置に於いて、前記基板(6) のガス上流側端部(6A)近傍の位置に対応する該反応管(1) の断面積を、前記基板(6) のガス下流側端部(6B)近傍の位置に対応する反応管(1) の断面積より小さく保つことを特徴とする気相エピタキシャル成長装置。