特許

J-GLOBAL ID：200903060899462414

真空処理装置

発明者： 三宅 清郎 ,  山本 重之
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 石原 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-094893
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294538
出願日： 1999年04月01日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：

【要約】【課題】被処理基板の寸法や処理条件などの変更に際しても反応ガスの供給を容易、且つ迅速に調節制御して、被処理基板の表面全体にわたり反応ガスを均等な分布で分散させることのできる真空処理装置を提供する。。【解決手段】被処理基板14が取り付けられる一方の電極13に対向する配置で真空チャンバ1の内部に設けられて、反応ガスGをガス吹出孔31から真空チャンバ1の内部に導入するガス供給部を兼ねる他方の電極28に、個別のガス供給系統を介して反応ガスGのガス供給源7に配管接続された複数のガス導入部37〜39を、真空チャンバ1の内部に反応ガスGを均等な分布で導入できる配置で設ける。

請求項（抜粋）：

内部を真空に排気される真空チャンバと、前記真空チャンバの内部に設けられて被処理基板が取り付けられる一方の電極と、前記一方の電極に相対向する配置で前記真空チャンバの内部に設けられ、反応ガスをガス吹出孔から前記真空チャンバの内部に導入するガス供給部を兼ねる他方の電極とを有し、前記他方の電極に、個別のガス供給系統を介して反応ガスのガス供給源に配管接続された複数のガス導入部が、前記真空チャンバの内部に反応ガスを均等な分布で導入できる配置で設けられていることを特徴とする真空処理装置。

IPC (6件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/455 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

FI (6件)：

H01L 21/302 C ,  C23C 16/44 D ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 B ,  H05H 1/46 M

Fターム (31件)：

4K030EA01 ,  4K030EA05 ,  4K030EA06 ,  4K030FA03 ,  4K030JA05 ,  4K030KA17 ,  4K030LA15 ,  4K030LA18 ,  4K057DM01 ,  4K057DM02 ,  4K057DM07 ,  4K057DM08 ,  4K057DM37 ,  4K057DN01 ,  4K057DN02 ,  5F004AA01 ,  5F004BA04 ,  5F004BB11 ,  5F004BB28 ,  5F045AA08 ,  5F045BB01 ,  5F045BB02 ,  5F045DP01 ,  5F045DP02 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EF04 ,  5F045EF05 ,  5F045EH12 ,  5F045EH13 ,  5F045EH14